NSG2000是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。[查看]

http://zm699.com/Products/ggjcnsg200.html

NSG2065Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT 栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065Q输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065Q工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效率。[查看]

http://zm699.com/Products/ggjcnsg2206.html

G2063Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2063Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。[查看]

http://zm699.com/Products/ggjcg2063q.html

NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可 用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。[查看]

http://zm699.com/Products/nsg21867gg.html

NSG2153D 是一款高压、高速功率 MOSFET 自振荡 半桥驱动芯片。 NSG2153D 其浮动通道可用于驱动高 低侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可 达 600V。[查看]

http://zm699.com/Products/ggjcnsg215.html

NSH505PQ is a 5A,500V half-brigde intelligence power module designed for motor drive applications, integrated 5A/500V MOSFET gate driver and bootstrap functionality in a small PQFN 5×6mm package. It can be flexibly applied to single-phase and three-phase DC brushless motor drive.[查看]

http://zm699.com/Products/ggjcdldl567sn.html

NSMB02S50M1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。[查看]

http://zm699.com/Products/ggjcipmzng.html

NSMB02S60M0 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流 电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该 模块内置了 6 个快恢复功率 MOS 管和 3 个半桥高压栅极 驱动电路。[查看]

http://zm699.com/Products/ggjcip2mzng.html

NSMB02S50M1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。[查看]

http://zm699.com/Products/ggjcip8mzng.html

NSMB05S50M0 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。[查看]

http://zm699.com/Products/ggjci23pmzng.html

NSMB05S50M1 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。[查看]

http://zm699.com/Products/ggjcipm2zng.html

NSMC05S60B0是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率IGBT管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMC05S60B0 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NSMC05S60B0 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。[查看]

http://zm699.com/Products/ggjci67pmzng.html

PN8141内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。[查看]

http://zm699.com/Products/xpwpn8141n.html

[查看]

http://zm699.com/Products/xpwzcslmsd.html

PN8782内部集成了电流模式控制器和高压启动模块以及高性能GaNFET，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8782根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-LockMode、PFM和BurstMode，多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。[查看]

http://zm699.com/Products/xpwpd2030w.html

NSH305PQ is a 3A,500V half-brigde intelligence powermodule designed formotor drive applications, integrated 3A/500V MOSFET gate driver and bootstrap functionality in a small PQFN 5×6mm package. It can be flexibly appliedto single-phase and threephase DC brushless motor drive.[查看]

http://zm699.com/Products/ggjcdldlsn.html

AP8262C是一款高性能电流模式PWM开关电源控制器，适用于固定频率电流模式控制架构的离线开关电源和DC-DC开关电源应用。芯片内部电路集成了基准电压源、频率外部设 置的振荡器、高增益的误差放大器、用于提供逐周期电流限制的PWM比较器、大电流图腾柱式输出驱动，以及芯片的输入电压和参考电压的锁存逻辑。AP8262C启动电流低于0.1mA，静态工作电流低于3mA。工作频率可达500kHz。内置VDD箝位电路，同时芯片集成逐周期过流保护、和欠压锁定保护。[查看]

http://zm699.com/Products/xpwpwmdygl.html

BF7613BMXXP-SJLX采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。[查看]

http://zm699.com/Products/byd8wcmshy.html

BF7613BMXXP-SJLX采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。BF7613BMXXP-SJLX包含外设有看门狗、LED 串行点阵驱动、电容触摸按键检测、IIC、UART、低电压检测、掉电复位、3路16-bit PWM、Timer0、Timer1、Timer2、12bit高精度逐次逼近ADC、低功耗管理等。[查看]

http://zm699.com/Products/byddlgy8wm.html

XNS20SM1E6基于TrenchFS-IGBT技术，是一款先进的DIPS26IPM，为交流感应、直流无刷电机和PMSM电机 提供非常全面的高性能逆变器输出平台。[查看]

http://zm699.com/Products/xnbdtipmzn.html