NSG6020是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能 力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的门锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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PN3744集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3744内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3744的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN3746集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外围元器件极精简的小功率作隔离开关电源，PN3746内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3746的降频调制技术有叫于改善EMI特性。[查看]

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PN555M集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN555M内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN555M具有优异的EMI特性。[查看]

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PN3734集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3734内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3734的降频调制技术有助丁改善EMI特性。[查看]

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NSG27526器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管（IGBT）电源开关。NSG27526能够将高达4A拉电流和4A灌电流的高峰值电流脉冲传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为20ns的极小传播延迟。[查看]

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NSG27524是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27524在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27524不会受到损坏。NSG27524可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端口均受到高达2.0kV静电放电（ESD)的全面保护。[查看]

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PN8295W是一款面向高效率隔离型DC-DC开关电源设计的电压模式高压半桥谐振控制器，适用于通信电源、工业电源模块等高功率密度应用场景。芯片集成650V高压半桥驱动模块，通过输出相 位差180°且脉宽相等的两路驱动信号，配合固定死区时间设计，可实现高频工作条件下的零电压软开关（ZVS）。[查看]

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NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21276采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。[查看]

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NSG2000是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。[查看]

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NSG2065Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT 栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065Q输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065Q工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效率。[查看]

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G2063Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2063Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。[查看]

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NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可 用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。[查看]

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NSG2153D 是一款高压、高速功率 MOSFET 自振荡 半桥驱动芯片。 NSG2153D 其浮动通道可用于驱动高 低侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可 达 600V。[查看]

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NSH406PQ是一款4A、600V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了4A/600V IGBT栅极驱动器和自举功能，采用紧凑的PQFN 5×6mm封装。可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

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NSMB02S50M1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。[查看]

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NSMB02S60M0 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流 电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该 模块内置了 6 个快恢复功率 MOS 管和 3 个半桥高压栅极 驱动电路。[查看]

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NSMB02S60M1 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMB02S60M1内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NSMB02S60M1 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。[查看]

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