PN7766是一款双通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7766的输出可以提供高达3A拉电流和3.5A灌电流的峰值电流脉冲，输入管脚INA、INB兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。[查看]

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XJNG2102是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。XJNG2102采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。XJNG2102其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。 XJNG2102采用SOP8封装，可以在-40℃至125C温度范围内工作。[查看]

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PN7735是一款具有保护功能的四通道低侧驱动器，其内部低侧集成了四个N沟道MOSFETs，高侧集成了四个功率二极管，可为电感负载提供续流回路。PN7735每一输出通道，单独输出时可提供1.5A持续输出电流；同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的串行输入接口控制，内部集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。[查看]

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PN7781是一款具有集成电流检测功能的微步进电机驱动芯片，节约了两个外部检测电阻。该芯片可用于全步、1/2、非循环1/2、1/4、1/8、1/16细分模式下控制双极性步进电机。微步进模 式可由M0、M1逻辑输入选择。PN7781能够输出高达1.5A的峰值电流，最大平均输出电流为1A（采用适当的印刷电路板，电压为24V，环境温度：25°C)。通过nSLEEP引l脚，该器件可提供一种低功耗的睡眠模式，从而实现超低功耗待机。该芯片集成了电源欠压、电荷泵欠压、过流、短路以及过温保护等功能，并且可以将错误状态通过nFAULT反馈给MCU，保障电机安全工作。该芯片的输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，24V和25°C条件下，高侧导通电阻加低侧导通电阻为0.86ohm。[查看]

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PN7711是一款具有四通道的低侧驱动器，其内部低侧集成了四个具有保护功能的NMOSFET，高侧集成了四个功率二极管，可以为感性负载提供续流回路。每一输出通道，单独输出时可提供1.5A持续输出电流；同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的并行输入接口控制，内部集成了过温保护、输出短路保护等保护电路。[查看]

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PN7716是一款具有低功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片，其可以驱动一个步进电机、两个直流电机、两通道并联驱动一个直流电机或者独立半桥驱动继电器等。PN7716的输出级是两个NMOS组成的H桥，高侧导通电阻0.3ohm，低侧导通电阻0.4ohm，用于驱动电机绕组或者四个独立半桥（可通过IC选择）。[查看]

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PN7703C是一款具有超低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护和输出短路保护等功能。芯片驱动级为HVCMOS结构，导通电阻：HS+LS=0.8ohm。[查看]

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PN7706是一款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达安全工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻0.3ohm，低侧导通电阻0.3ohm。[查看]

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PN7708B是一款具有低功耗睡眠模式和驱动限流可编程的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车和超低功耗睡 眠模式。[查看]

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AGMH022N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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AGMH4015H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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AGMH035N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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TX8C1261是一款高性能低功耗的8051内核MCU，工作主频最高为48MHz，内置16K字节LogicFlash存储器（支持类EEPROM功能），2K字节SRAM。[查看]

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AGM612AP结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM609AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM302D1结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM305AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM605Q 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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FM33FR0是基于ARM Cortex-M0+的低功耗MCU，支持最大384KB程序flash、8KB数据flash和最大32KB RAM；集成12bit SAR-ADC，最大14通道按键触摸控制器，LCD/LED段码驱动，比较器等丰富外设；具备超宽工作电压范围和优异的低功耗性能。[查看]

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AGM40P30A结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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