PN8750内部集成了多模式PWM控制器及800V高可靠性智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8750根据输入电压、输出电压和负载自适应切换全频PWM、PFM、低频PWM和BurstMode，实现了全负载范围内的高效率。内置800V高压启动模块，实现了系统快速启动以及超低的待机功耗。频率调制技术充分保证系统良好的EMI表现。优异的软启动功能降低了启机时的功率器件应力。同时，PN8750还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入过欠压保护、输出过载保护、逐周期过流保护、过温保护、输出过压保护等。[查看]

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G2021Q是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动 芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021Q 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单 芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防 直通的死区逻辑。G2021Q其浮动通道可用于驱动高 压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可 达250V。G2021Q采用 DFN8封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。[查看]

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G2022Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2022Q采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2022Q其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2022Q采用DFN2X3-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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G2020Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2020Q采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2020Q其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2020Q采用 DFN8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG27324Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27324Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27324Q不会受到损坏。NSG27324Q可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端口均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

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NSG4437Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4437Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4437Q不会受到损坏。NSG4437Q可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

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NSG27325Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27325Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27325Q不会受到损坏。NSG27325Q可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端口均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

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NSG4426Q是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4426Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4426Q不会受到损坏。NSG4426Q可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电（ESD)的全面保护。[查看]

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NSG4427Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4427Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4427Q不会受到损坏。NSG4427Q可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0kV静电放电（ESD)的全面保护。[查看]

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NSG4428Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4428Q芯片在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4428Q芯片不会受到损坏。NSG4428Q芯片可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

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NSG2118 是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动 芯片。NSG2118 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2118其浮动通 道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道 最高工作电压可达700V。NSG2118采用SOP8封装， 可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2003 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 NSG2003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的 CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲 能力和防直通的死区逻辑。NSG2003其浮动通道可用 于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工 作电压可达250V。NSG2003集成有自举二极管，对 高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2003采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2008是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2008采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2008其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2008集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2008采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG3100C 4A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供NSG3100C输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态。NSG3100C提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度提高效率。[查看]

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NSG4437是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4437在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4437不会受到损坏。NSG4437可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

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NSG27323是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27323在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27323不会受到损坏。NSG27323可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端口均受到高达2.0kV静电放电(ESD)的全面保护。[查看]

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NSG3111C是一款单通道超高速功率开关驱动器，通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器为CMOS逻辑输入。NSG3111C提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度提高效率。[查看]

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NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG1415/6是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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AGM4013A-CP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关及电池保护场景。[查看]

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