The series of devices use advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.[查看]

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The series of devices use advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.[查看]

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MOS管--3407 封装是SOT-23.THE NCE3407 USES ADVANCED TRENCH TECHNOLOGU TO JROVIDE EXCELLONT RDS(ON).[查看]

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AP3128A是一款专门为白光LED驱动而设计的恒流DC/DC转换器。内部MOSFET能够同时支持10个白光LED背光和OLED电源的应用，且内部软启动功能可以减少浪涌电流。AP3128A采用电流模式，固定1.0MHz频率，通过外部电流检测电阻来调节LED电流。300mV的低反馈电压能够减小电源功耗。 其他特性还包括限流保护，过温保护，欠压保护和过压保护功能。 AP3128A采用纤小的SOT-23-6L和DFN-8L 2X2封装。[查看]

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AP2960是一款宽输入范围，效率CC/CV功能的降压芯片，既可以CV（恒压）输出，也可以CC（恒流）输出。AP2960可在350kHz的开关频率下提供3.0A输出电流。AP2960不需要使用高成本的精密电流采样电阻，非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻,相比传统恒流开关稳压器拥有转换效率。保护特性包括逐周期限流，热关断以及短路恢复功能。SOP8-EP封装,工作时仅需要较少的外围器件。[查看]

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AP2962B是一款宽输入范围，CC/CV功能的降压芯片，既可以CV（恒压）输出，也可以CC（恒流）输出。AP2962B高可在230kHz的开关频率下提供2A输出电流。AP2962B不需要使用高成本的精密电流采样电阻，非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻，AP2962B相比传统恒流开关稳压器拥有高的转换效率。[查看]

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PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。[查看]

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PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。[查看]

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PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源.[查看]

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PN8145内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。[查看]

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AP8267是高度集成的电流模式PWM控制芯片，具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8267内置绿色降频工作模式，根据负载情况调节工作频率，减少了开关损耗，从而获得较低的待机功耗和较高的转换效率，同时集成了峰值功率模块，通过升频电路可有效的减小变压器的磁通和磁芯体积。[查看]

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PN8368 集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。[查看]

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PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源， PN8044M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8034M电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034M的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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BF6910AX是基于27个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸。其内置MCU,可灵活配置，通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。 BF6916AX通过IIC和UART与主机进行通信。[查看]

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PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。[查看]

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PN8386集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。[查看]

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PN8235集成待机功耗准谐振原边控制器及750V智能高压启动模块，外驱功率DMOS，外表Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8235为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。[查看]

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PN8159内部集成了脉宽调制控制器和功率 MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能。通过 PWM、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现负载范围效率。[查看]

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PN8356 5V1A/5V1.2A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8356工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。[查看]

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