PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。[查看]

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The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration (versionB) or any other high-side& low-side configuration (version A) which operates up to 600V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7303 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7308 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V.Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7008 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross conduction.[查看]

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PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。PN8160为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台，非常适合六级能效、CoC Tier 2应用。[查看]

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PN8036M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于EMI特性 。[查看]

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PN8038M集成PFM控制器及650V 高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8038M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8038M 的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8046M 集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件的高功率非隔离开关电源。 PN8046M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8046M的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8048M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件小功率非隔离开关电源。 PN8048M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8048M 的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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The PN7006 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 120 V.Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver .[查看]

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IP2712 是一款集成 USB TYPE-C 输出协议、USB Power Delivery(PD3.0)输出协议、QC3.0/2.0 输出快充协议（兼容 DCP 识别功能，兼容 BC1.2、苹果和三星手机）、MTK PE+1.1、FCP、SCP 等多功能的电源管理 SOC，为适配器、车充等单向输出应用提供完整的TYPE-C 解决方案。[查看]

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IP2161是一款高度集成的、用于 USB输出端口的快充协议 IC。其主要功能是解析接入 USB端口的充电设备的快充请求，然后根据解析的快充协议通知 USB端口调整输出电压。IP2161支持自动检测USB端口接入设备的充电协议类型并进行协议切换，能响应不同协议的充电电压请求。IP2161支持对 USB端口进行多种协议解析，包括 HVDCP QC3.0/QC2.0（Quick Charge） Class A，FCP，（Hisilicon? Fast Charge Protocol），AFC（Samsung? Adaptive Fast Charge），SFCP（Spreadtrum? Fast Charge，Protocol），以及 Apple 2.4A，BC1.2和三星 2.0A普通充电控制。IP2161实时监测 DP，DM引脚电压，当检测到接入USB端口的待充设备。[查看]

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IP6518 是一款集成同步开关的降压转换器、支持 13 种输出快充协议、支持 Type-C 输出和 USB PD 协议，为车载充电器、快充适配器、智能排插提供解决方案。IP6518 内置功率 MOS，输入电压范围是 10.5V到 32V，输出电压范围是 3V 到 20V，能提供45W 的输出功率，能够根据识别到的快充协议自动调整输出电压和电流，典型输出电压和电流有：3V@3.6A，5V@3.4A，7V@3A，9V@3A，12V@3A，15V@1.5A，20V@2.3A。IP6518 的降压转换效率 97%。[查看]

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IP6505是一款集成同步开关的降压转换器、支持 10种输出快.充协议，为车载充电器、快.充适配器、智能排插提供解.决方案。IP6505内置功率 MOS，输入电压范围是 10.5V到 28V，输出电压范围是 3V到 12V，能提供24W的输出功率，能够根据识别到的快充协议自动调整输出电压和电流，典型输出电压和电流有：3V@3 A，5V@3A，7V@3A，9V@2.5A，12V@2A。IP6505的降压转换效率 97.5%。IP6505的输出具有 CV/CC特性，当输出电流小于设定值，输出 CV模式，输出电压恒定；当输出电流大于设定值，输出 CC模式，输出电压降低。IP6505的输出电压带有线补功能，输出电流增大后会相应提.高输出电压，用以补偿连接线阻抗引起的电压下降。[查看]

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RZC8005是一款脉宽调制降压型电源管理集成电路，其自身具有恒流恒压输出功能，并采用同步整流降压技术，转换效率高可达 93%。 RZC8005内置了线损补偿功能并且提供稳定的电压输出，同时因为具有可编程的过流保护功能，故其可应用在 DC-DC降压型电源管理应用中。 RZC8005内部集成多种保护功能，例如：输出过压保护、VDD欠压保护、过温保护、过流保护和短路保护功能，其封装采用 SOP-8，封装体积小，外围器件少，性价比高。[查看]

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RZC7512是双通道USB充电端口（DCP）（BC1.2）控制器。拥有自动检测特性时时监控USB数据线电压，并且自动在数据线上提供正确的电压特性，来为下列用于充电配置提供兼容性充电；[查看]

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RZC7100S(T)是一款低成本的满足高通2.0快充协议的USB充电接口控制IC,无论是A类还是B类接口，RZC7100S(T)均支持输出电压范围。 RZC7100S(T)具有自动检测连接的电源设备是否支持高通2.0快充的功能，如电源设备支持高通快充2.0协议，RZC7100S(T)则通过调整输出电压来完成快速充电过程，如连接的电源设备不支持高通快充2.0协议，RZC7100S(T)则默认输出为5V,充电则采用普通充电模式。[查看]

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PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。[查看]

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