PN8359包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得能够满足较高的待机功耗标准。在恒流模式，电流和输出功率可通过CS脚的Rs电阻进行调节；在恒压模式，PFM工作模式可获得较高的性能和效率。轻载时，该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。另外，输出线补偿功能有助于获得较好的负载调整率。[查看]

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AP2952是一款单片同步整流降压稳压器，它集成了导通阻抗130m?的MOSFET，可以在很宽的输入电压范围（4.75V-18V）内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有很好的瞬态响应和单周期内的限流功能。 可调的软启动时间能避免开启瞬间的冲击电流，在停机模式下，输入电流小于1uA。 AP2952封装为SOP8, 同时提供了紧凑的系统方案，可以限度的减少外围元件。[查看]

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AP2952A是一款单片同步整流降压稳压器，它集成了导通阻抗130m?的MOSFET，可以在很宽的输入电压范围（4.75V-18V）内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有很好的瞬态响应和单周期内的限流功能。 可调的软启动时间能避免开启瞬间的冲击电流，在停机模式下，输入电流小于1uA。 AP2952A封装为SOP8-PP, 同时提供了紧凑的系统方案，可以限度的减少外围元件。[查看]

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PN8366集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V, PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。[查看]

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AP2961A是一款宽输入范围， CC/CV功能的降压芯片，既可以CV（恒压）输出也可以CC（恒流）输出。AP2961A可在125kHz的开关频率下提供3A输出电流。 AP2961A 不需要使用高成本的精密电流采样电阻，非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻，AP2961A相比传统恒流开关稳压器拥有较高的转换效率。 AP2961A提供了OVP引脚可实现过压保护功能。 AP2961A 内部集成自适应栅极驱动，拥有 EMI 表现，在没有附加外围 EMI 器件的情形下仍可以通过 EN55022 Class B EMC 标准，这也进一步保证了高转换效率。[查看]

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AP2962是一款宽输入范围，CC/CV功能的降压芯片，既可以CV（恒压）输出也可以CC（恒流）输出。AP2962可在230kHz的开关频率下提供3A输出电流。 AP2962不需要使用高成本的精密电流采样电阻，非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻， AP2962相比传统恒流开关稳压器拥有较高的转换效率。 保护特性包括逐周期限流，热关断以及短路频率折回等功能。芯片提供 SOP8-PP封装，工作时仅需要较少的外围器件。[查看]

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AP8012H芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。[查看]

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PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。[查看]

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AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片，其内部主要由参考电压基准，振荡器，比较器组成，输出电压纹波低，转换效率高，带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便携式产品。[查看]

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AP2018是一款高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围2.7V~9V供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压充电端口HVDCP的移动电源。由于采用电流模PWM控制架构,AP2018在定频时可获得瞬态响应，在轻载时处于PFM模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(ON) 功率开关，在轻载和重载下都保持。其他保护特性包括软启动，逐周期峰值限流，热关断，输入欠压保护和栅极驱动UVLO。AP2018采用SO8-EP封装，既有利于紧凑的解决方案又能较好的散热。[查看]

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BF6952A 是基于3 个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸。其内置MCU，可灵活配置；通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。3 个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。 BF6952A 通过IIC 与主机进行通信。 BF6952A 包含一个主频为24MHZ 的单片机内核和一些其他外围设备；[查看]

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BF6956AX 是基于3 个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸。其内置MCU，可灵活配置；通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。 3 个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。 BF6956AX 通过IIC 和UART 与主机进行通信。 BF6956AX 包含一个主频为24MHZ 的单片机内核和一些其他外围设备。[查看]

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IP6510是一款集成同步开关的降压转换器、支持9 种输出快.充协议、支持Type-C 输出和USB PD协议，为车载充电器、快.充适配器、智能排插提供完.整的解决方案。 IP6510内置功率MOS，输入电压范围是4.5V到32V，输出电压范围是3V 到12V，能提供18W的输出功率，能够根据识别到的快.充协议自动调整输出电压和电流，典型输出电压和电流有：5V@3.1A，7V@2.4A，9V@2A，12V@1.5A。IP6510的降.压转换效率97%。[查看]

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IP6503是一款集成同步开关的降压转换器、支持DCP(BC1.2 Apple2.4A、三星)输出协议，为车载充电器、适配器、智能排插、行车记录仪提供解决方案。 IP6503内置功率MOS，输入电压范围是8V到32V，输出电压5V，能提供3.1A 的输出电流， IP6503 的降压转换效率94%。 IP6503的输出具有CV/CC 特性，当输出电流小于设定值，输出CV 模式，输出电压恒定；当输出电流大于设定值，输出CC模式，输出电压降低。 IP6503 的输出电压带有线补功能，输出电流增大后会相应提高输出电压，用以补偿连接线阻抗引起的电压下降。 IP6503 具有软启动功能，可以防止启动时的冲击电流影响输入电源的稳定。 IP6503 有多种保护功能，具有输入过压、欠压保护，输出过流、过压、欠压、短路保护等功能。[查看]

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SDH697XS是一款用于非隔离LED驱动的控制芯片，外围应用采取浮地Buck架构, 内置功率MOSFET和高压耗管。在该架构下，芯片采样电感电流进入内部，并利用内部误差放大器形成闭环反馈网络，从而达到高恒流精度和高输入/输出调整率。同时，芯片自带PFC控制，自动实现电压范围高PF值。芯片的临界导通模式减小开关损耗，提高系统转换效率。[查看]

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SDH697XD是一款用于非隔离LED驱动的控制芯片，外围应用采取浮地 Buck架构，内置功率MOSFET和耗管。在该架构下，芯片采样电感电流进入内部，并利用内部误差放大器形成闭环反馈网络，从而达到高恒流精度和高输入/输出调整率。同时，芯片自带PFC控制，自动实现电压范围高PF值。芯片的临界导通模式减小开关损耗，提高系统转换效率。[查看]

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The PN7101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver c[查看]

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The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7104 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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