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用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。[查看]
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内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。[查看]
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690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M
PN6370M六级能效集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC )小于30mW。[查看]
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待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P
PN6370P集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370P为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC )小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护,同时还集成AC电压过压保护功能,可通过系统分压电阻调节。[查看]
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用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232
PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8232工作在原边调整模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。极低的芯片启动电流能够满足的待机功耗标准。在恒流模式,电流和输出功率可通过CS脚的Rs 电阻进行调节;在恒压模式,PFM工作模式可获得较高的性能和效率。轻载时,该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。另外,输出线电阻补偿功能有助于获得较好的负载调整率。[查看]
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500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007
AP2007是一款紧凑型,效率高同步升压转换器,内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值),空载或轻载时,AP2007为节能的PFM工作模式。当负载大于150mA时,采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快速瞬态响应。[查看]
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具有热调节功能的独立线性锂电池充电器--AP5054B
AP5054B是一个单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片,其SOT封装的极少的外围元件非常适合应用于便携式产品,而且AP5054B专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构,不需要外部感应电阻的隔离二极管,当外部环境温度过高或在大功率工作时,热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定在4.2V,充电电流可通过外部电阻设置。当充电电流在达到浮充电压之后设定值1/10时,AP5054B将自动终止充电循环。[查看]
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集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器,通过外驱N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特 基二极管,以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV,控制器驱动外 部的功率MOSFET开启;当芯片检测到功率MOSFET流过的电流降低到阈值-10mV时,控制器驱动功率MOSFET关闭。该芯片 提供了优异的辅助功能,包含输出欠压保护等功能。PN8300内置高压启动电路可支持输出电压2V时,系统仍能正常工作。[查看]
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650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护, 欠压保护,过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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1MHz,微功率同步升压型转换器--AP2000
AP2000 是一款1.2MHz 固定开关频率,效率高,同步升压转换器。能够用于单节干电池产生3.3V电压并提供100mA 以上的驱动能力。AP2000 内部集成了NMOS 主开关管和PMOS 的同步整流管,1.2MHz的开关频率可以使用小型化的电感和陶瓷电容,减小了整体应用方案尺寸。电流模式PWM 方式的内部补偿,减少了外围元件,提高了瞬态响应能力。内部振铃抑制电路减少了开关端EMI辐射。当关断电路时,AP2000自身消 耗电流低于1uA。AP2000采用6引脚的扁平SOT-23 封装。可提供固定输出电压版本和可调输出电压版本。[查看]
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内部集成MCU接口LED驱动控制电路--AIP1668
AIP1668是带键盘扫描口的LED驱动控制电路,内部集成有MCU数字接口,数据锁存器,键盘扫描等电路。本产品主要应用于VCR,VCD,DVD及家庭影院等产品的显示屏驱动。[查看]
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LED驱动控制电路--AIP1628
AIP1628是带键盘扫描口的LED驱动控制电路,内部集成有MCU数字接口,数据锁存器,键盘扫描等电路。本产品主要应用于VCR,VCD,DVD及家庭影院等产品的显示屏驱动。[查看]
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具有保护功能的门极驱动芯片--PN7003
PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化IGBT驱动,该芯片集成了欠压锁定、过压锁定、IGBT导通时间 控制、IGBT SOA保护以及故障后“软关断”等功能,保障IGBT工作。并且PN7003可与MCU进行故障通信,将故障信号反 馈给MCU,同时接收MCU唤醒或重置信号。[查看]
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1MHz,2A升压转换器--AP2008
AP2008是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时,AP2008工作在轻负载模式。静态电流为100uA,内部NMOS管导通电阻为200mΩ,保证在整个输出负载范围内效率高。2A峰值电流使得AP2008可以提供1A输出负载电流,非常适应于MID和移动电源。输入电压范围3V~ 25V。内部工作频率是设定在1.0MHz。 AP2008采用6引脚的扁平SOT-23封装。[查看]
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MOS管--NCE3407A
Description The NCE3407A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications[查看]
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NCE65R540I, NCE65R540K
General Description The series of devices use advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.[查看]
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NCE65R2K4I,NCE65R2K4K
General Description The series of devices use advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.[查看]
http://zm699.com/Products/nce65r2k4i.html3星
NCE65R1K2I,NCE65R1K2K
The series of devices use advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.[查看]
http://zm699.com/Products/nce65r1k2i.html3星
NCE65R1K2,NCE65R1K2D,NCE65R1K2F
The series of devices use advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.[查看]
http://zm699.com/Products/nce65r1k2n.html3星
MOS管650V--NCE65R1K2Z
The series of devices use advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.[查看]
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