PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。[查看]

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AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片，其内部主要由参考电压基准，振荡器，比较器组成，输出电压纹波低，转换效率高，带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便携式产品。[查看]

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AP2018是一款高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围2.7V~9V供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压充电端口HVDCP的移动电源。由于采用电流模PWM控制架构,AP2018在定频时可获得瞬态响应，在轻载时处于PFM模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(ON) 功率开关，在轻载和重载下都保持。其他保护特性包括软启动，逐周期峰值限流，热关断，输入欠压保护和栅极驱动UVLO。AP2018采用SO8-EP封装，既有利于紧凑的解决方案又能较好的散热。[查看]

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BF6952A 是基于3 个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸。其内置MCU，可灵活配置；通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。3 个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。 BF6952A 通过IIC 与主机进行通信。 BF6952A 包含一个主频为24MHZ 的单片机内核和一些其他外围设备；[查看]

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BF6956AX 是基于3 个电容检测通道的芯片，它可以用来检测近距离感应或者触摸。其内置MCU，可灵活配置；通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。 3 个按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器写命令来调节灵敏度。 BF6956AX 通过IIC 和UART 与主机进行通信。 BF6956AX 包含一个主频为24MHZ 的单片机内核和一些其他外围设备。[查看]

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IP6510是一款集成同步开关的降压转换器、支持9 种输出快.充协议、支持Type-C 输出和USB PD协议，为车载充电器、快.充适配器、智能排插提供完.整的解决方案。 IP6510内置功率MOS，输入电压范围是4.5V到32V，输出电压范围是3V 到12V，能提供18W的输出功率，能够根据识别到的快.充协议自动调整输出电压和电流，典型输出电压和电流有：5V@3.1A，7V@2.4A，9V@2A，12V@1.5A。IP6510的降.压转换效率97%。[查看]

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IP6503是一款集成同步开关的降压转换器、支持DCP(BC1.2 Apple2.4A、三星)输出协议，为车载充电器、适配器、智能排插、行车记录仪提供解决方案。 IP6503内置功率MOS，输入电压范围是8V到32V，输出电压5V，能提供3.1A 的输出电流， IP6503 的降压转换效率94%。 IP6503的输出具有CV/CC 特性，当输出电流小于设定值，输出CV 模式，输出电压恒定；当输出电流大于设定值，输出CC模式，输出电压降低。 IP6503 的输出电压带有线补功能，输出电流增大后会相应提高输出电压，用以补偿连接线阻抗引起的电压下降。 IP6503 具有软启动功能，可以防止启动时的冲击电流影响输入电源的稳定。 IP6503 有多种保护功能，具有输入过压、欠压保护，输出过流、过压、欠压、短路保护等功能。[查看]

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SDH697XS是一款用于非隔离LED驱动的控制芯片，外围应用采取浮地Buck架构, 内置功率MOSFET和高压耗管。在该架构下，芯片采样电感电流进入内部，并利用内部误差放大器形成闭环反馈网络，从而达到高恒流精度和高输入/输出调整率。同时，芯片自带PFC控制，自动实现电压范围高PF值。芯片的临界导通模式减小开关损耗，提高系统转换效率。[查看]

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SDH697XD是一款用于非隔离LED驱动的控制芯片，外围应用采取浮地 Buck架构，内置功率MOSFET和耗管。在该架构下，芯片采样电感电流进入内部，并利用内部误差放大器形成闭环反馈网络，从而达到高恒流精度和高输入/输出调整率。同时，芯片自带PFC控制，自动实现电压范围高PF值。芯片的临界导通模式减小开关损耗，提高系统转换效率。[查看]

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The PN7101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver c[查看]

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The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7104 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7113 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels based on P_SUB P_EPI process. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration (versionB) or any other high-side& low-side configuration (version A) which operates up to 600V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7303 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7308 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V.Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]

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The PN7008 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross conduction.[查看]

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PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。PN8160为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台，非常适合六级能效、CoC Tier 2应用。[查看]

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PN8036M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于EMI特性 。[查看]

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PN8038M集成PFM控制器及650V 高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8038M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8038M 的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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