PN7336是-款用于三相全桥栅极驱动芯片，内置三个独立的半桥驱动电路，可用于高压，高速MOSFET和IGBT，输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V，芯片内部集成了过流检测功能，当检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号，芯片集成了一个漏极开路啊FAULT功能指示，可用于提示过流或欠压导致芯片输出关断的情况，在通过连接到RCIN输入的RC网络进行外部编程的延迟后，过电流故障条件将条件将自动清除。芯片内置的延时匹配功能可简化在高频中应用。[查看]

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PN8386P集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足 6级能 效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN8034C集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源管理芯片。PN8034C内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034C的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。[查看]

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PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、导通时间等功能。[查看]

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PN8386F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足 6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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AP2016是一款功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围 2.7V ~12V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压的充电端口HVDCP的移动电源。[查看]

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IP2183是一款集成9种,用于USB输出端口的快充协议IC，支持USB端口充电协议。支持10种快充协议，包括 HVDCP QC3.0/QC2.0（Quick Charge）Class A，FCP（Hisilicon? Fast Charge Protocol），SCP （Super Fast Charge），AFC（Samsung? Adaptive Fast Charge），MTK PE+ 2.0/1.1（MediaTek Pump Express Plus 2.0/1.1），Apple 2.4A，BC1.2以及三星2.0A。IP2183支持自动检测设备类型和充电协议切换，自动响应快充协议请求。[查看]

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IP6528是一款集成同步开关的降压转换器、支持14种输出快充协议、支持Type-C输出和USB PD2.0/PD3.0(PPS)协议的双口输出SOC IC，为车 载充电器、快充适配器、智能排插提供完整的解决方案。[查看]

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PN6795D集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现芯片空载损（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效，频率抖动技术可实现的EMI特性；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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AP2004H是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM 升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时，AP2004H工作在轻负载模式。静态电流为100uA，关断电流小于1uA。内部 NMOS管导通电阻130兆欧姆，保证在整个输出负载范围内。3A峰值电流使得 AP2004H可以提供1.5A输出负载电流。非常适应于MID和移动电源。输入电压范围2.5 ~ 5.5V。内部工作频率是设定在1.0MHz。[查看]

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IP2191是一款集成 VOOC闪充协议、Apple? 充电协议、SAMSUNG充电协议、BC1.2充电协议的多功能 SOC。通过集成的副边电压反馈调节，IP2191可实现精细的恒压、恒流控制，为适配器、车载充电器等单向输出应用提供完整的 VOOC闪充解决方案。[查看]

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IP6523S是一款集成同步开关的降压转换器、支持 DCP(BC1.2、Apple、三星)协议，为车载充电器、快充适配器、智能排插提供完整的解决方案。 IP6523S内置功率MOS，输入电压范围是9.6V到 32V，输出电压 5V，能提供 3.4A的输出电流。IP6523S的降压转换效率高 96%以上。 IP6523S 的输出具有CV/CC 特性，当输出电流小于设定值，输出 CV 模式，输出电压恒定；当输出电流大于设定值，输出 CC 模式，输出电压降低。[查看]

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IP6808是一款无线充电发射端控制SoC芯片，兼.容WPC Qi v1.2.4标准，支持 A11线圈，支持 5W、苹果 7.5W、三星10W 充电。IP6808通过analog ping检测到无线接收器，并建立与接收端之间的通信，则开始功率传输。IP6808解码从接收器发送的通信数据包，然后用 PID算法来改变振荡频率从而调整线圈上的输出功率。一旦接收器上的电池充满电时，IP6808 终止电力传输。片内集成驱动电路和电压&电流两路ASK通讯解调模块，集成度高，降低方案尺寸和BOM成本。[查看]

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SD6834是用于开关电源的内置高压 MOSFET外置采样电阻的电流模 式 PWM+PFM控制器系列产品。 该电路待机功耗低，启动电流低。在待机模式下，电路进入打嗝模式， 从而有效地降低电路的待机功耗。 电路的开关频率为 25~67KHz，随负载而定。抖动的开关频率，可 以获得较低的 EMI。[查看]

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PN8034A集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8034A内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034A的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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IP5310是一款集成升压转换器、锂电池充电管,理、电池电量指示和TYPE_C协议的多功能电源管理 SOC，为移动电源提供完整的电源解决方案。IP5310的高集成度与丰富功能，使其在应用时需少的外围器件，并有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。[查看]

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PN7725是一款用于无线充电的智能功率芯片。该芯片集成了驱动及两颗功率级场效应管，内置自举高压PMOS，内置5V/30mA LDO，具有自适应死区功能。该芯片还集成了欠压保护和过温保护功能。芯片采用SOP8-PP封装，具有良好的散热性能。[查看]

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PN8147H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。[查看]

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PN8149H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。[查看]

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