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650V高雪崩能力高性能18V0.5A非隔离电源管理芯片--PN8046M
PN8046M 集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件的高功率非隔离开关电源。 PN8046M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8046M的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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18V0.6A高性能非隔离电源管理芯片--PN8048M
PN8048M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件小功率非隔离开关电源。 PN8048M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8048M 的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
http://zm699.com/Products/18v06agxnf.html3星
120V高、低驱动程序电机驱动芯片--PN7006A/B
The PN7006 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 120 V.Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver .[查看]
http://zm699.com/Products/120vgdqdcx.html3星
集成USB TYPE-C PD3.0、QC3.0/2.0/    MTK高压PD快充识别协议的电源管理芯片—IP2712
IP2712 是一款集成 USB TYPE-C 输出协议、USB Power Delivery(PD3.0)输出协议、QC3.0/2.0 输出快充协议(兼容 DCP 识别功能,兼容 BC1.2、苹果和三星手机)、MTK PE+1.1、FCP、SCP 等多功能的电源管理 SOC,为适配器、车充等单向输出应用提供完整的TYPE-C 解决方案。[查看]
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集成7种协议、用于USB端口的快充协议芯片—IP2161
IP2161是一款高度集成的、用于 USB输出端口的快充协议 IC。其主要功能是解析接入 USB端口的充电设备的快充请求,然后根据解析的快充协议通知 USB端口调整输出电压。IP2161支持自动检测USB端口接入设备的充电协议类型并进行协议切换,能响应不同协议的充电电压请求。IP2161支持对 USB端口进行多种协议解析,包括 HVDCP QC3.0/QC2.0(Quick Charge) Class A,FCP,(Hisilicon? Fast Charge Protocol),AFC(Samsung? Adaptive Fast Charge),SFCP(Spreadtrum? Fast Charge,Protocol),以及 Apple 2.4A,BC1.2和三星 2.0A普通充电控制。IP2161实时监测 DP,DM引脚电压,当检测到接入USB端口的待充设备。[查看]
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输出 45W,集成 Type-C PD 输出和各种快充输出协议IC--IP6518
IP6518 是一款集成同步开关的降压转换器、支持 13 种输出快充协议、支持 Type-C 输出和 USB PD 协议,为车载充电器、快充适配器、智能排插提供解决方案。IP6518 内置功率 MOS,输入电压范围是 10.5V到 32V,输出电压范围是 3V 到 20V,能提供45W 的输出功率,能够根据识别到的快充协议自动调整输出电压和电流,典型输出电压和电流有:3V@3.6A,5V@3.4A,7V@3A,9V@3A,12V@3A,15V@1.5A,20V@2.3A。IP6518 的降压转换效率 97%。[查看]
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输出 24W,集成各种快充输出协议—IP6505
IP6505是一款集成同步开关的降压转换器、支持 10种输出快.充协议,为车载充电器、快.充适配器、智能排插提供解.决方案。IP6505内置功率 MOS,输入电压范围是 10.5V到 28V,输出电压范围是 3V到 12V,能提供24W的输出功率,能够根据识别到的快充协议自动调整输出电压和电流,典型输出电压和电流有:3V@3 A,5V@3A,7V@3A,9V@2.5A,12V@2A。IP6505的降压转换效率 97.5%。IP6505的输出具有 CV/CC特性,当输出电流小于设定值,输出 CV模式,输出电压恒定;当输出电流大于设定值,输出 CC模式,输出电压降低。IP6505的输出电压带有线补功能,输出电流增大后会相应提.高输出电压,用以补偿连接线阻抗引起的电压下降。[查看]
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降压型恒流恒压电源管理集成电路--RZC8005
RZC8005是一款脉宽调制降压型电源管理集成电路,其自身具有恒流恒压输出功能,并采用同步整流降压技术,转换效率高可达 93%。 RZC8005内置了线损补偿功能并且提供稳定的电压输出,同时因为具有可编程的过流保护功能,故其可应用在 DC-DC降压型电源管理应用中。 RZC8005内部集成多种保护功能,例如:输出过压保护、VDD欠压保护、过温保护、过流保护和短路保护功能,其封装采用 SOP-8,封装体积小,外围器件少,性价比高。[查看]
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USB充电端口控制器—RZC7512
RZC7512是双通道USB充电端口(DCP)(BC1.2)控制器。拥有自动检测特性时时监控USB数据线电压,并且自动在数据线上提供正确的电压特性,来为下列用于充电配置提供兼容性充电;[查看]
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QC2.0快充控制IC—RZC7100S(T)
RZC7100S(T)是一款低成本的满足高通2.0快充协议的USB充电接口控制IC,无论是A类还是B类接口,RZC7100S(T)均支持输出电压范围。 RZC7100S(T)具有自动检测连接的电源设备是否支持高通2.0快充的功能,如电源设备支持高通快充2.0协议,RZC7100S(T)则通过调整输出电压来完成快速充电过程,如连接的电源设备不支持高通快充2.0协议,RZC7100S(T)则默认输出为5V,充电则采用普通充电模式。[查看]
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6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L
PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。[查看]
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高性能多模式PWM控制芯片--AP8268
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高精度内置启动PSR无辅助绕组LED恒流驱动芯片—PN8328
PN8328包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高可靠、隔离双绕组、精简外围元器件的中小功率LED照明,该芯片工作在原边调整模式,可省略光耦、TL431,采用了DMOS自供电的技术可节省变压器辅助绕组和启动电阻。该芯片提供了自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、开环保护、过温保护、Rcs开/短路保护和LED开/短路保护等,内置启动电路和低的芯片功耗有助于获取较高的工作效率。在恒流模式下,电流和输出功率可通过CS脚的Rcs电阻进行调节。[查看]
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低待机功耗离线式开关电源IC—PN6012
PN6012芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。[查看]
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5A 800V N沟道增强型场效应管--SVF5N80F/T/MJ/K
SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。[查看]
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内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流电源管理芯片—PN8016
PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8016的降频调制技术有助于 EMI特性。[查看]
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待机功耗交直流转换芯片--PN8147T
PN8147T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗,电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能启动模块。PN8147T为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台,非常适合智能电表、Eur2.0、能源之星的应用。[查看]
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具有软启动功能待机功耗交直流转换芯片--PN8135
PN8135内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗,电压范围下的效率。[查看]
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用于高性能、外围元器件精简待机功耗交直流转换芯片--PN8135H
PN8135H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗以及电压范围下的效率。良好的 EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。非常适用于DVB和智能电表应用。[查看]
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集成了脉宽调制控制器待机功耗的交直流转换芯片--PN8145T
PN8145T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗,电压范围下的效率。良好的 EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。[查看]
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