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支持双向PD3.0快充等多种协议的移动电源SOC--IP5328P
IP5328P是一款集成QC2.0 / QC3.0 输出快充协议、 FCP/AFC/SFCP 输入输出快充协议、MTK PE+ 1.1&2.0 输出快充协议、USB C/PD2.0/PD3.0 输入输出协议、USB C PD3.0 PPS 输出协议、兼容 BC1.2/苹果/三星手机、同步升/降压转换器、锂电池充电管理、电池电量指示等多功能的电源管理 SOC,为快充移动电源提供完整的电源解决方案。可同时支持USB A x2,USB B,USB C四个USB口,单独使用任何一个USB口都可以支持快充,同时使用两个及以上输出口时,只支持 5V。[查看]
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输出2.4A/3.1A,集成DCP输出协议的SOC IC--IP6503S
IP6503S是一款集成同步开关的降压转换器、支持DCP(BC1.2、Apple2.4A、三星)输出协议,为车载充电器、适配器、智能排插、行车记录仪提供完.整的解决方案。 IP6503S内置功率 MOS,输入电压范围是8V到32V,输出电压5V,能提供3.1A的输出电流, IP6503S的降压转换效率达94%。[查看]
http://zm699.com/Products/sc24a31ajc.html3星
集成双口DCP协议的输出SOC IC芯片--IP6515
IP6515是一款集成同步开关的降压转换器、支持DCP(BC1.2、Apple、三星)协议的双口输出SOC,为车载充电器、适配器、智能排插、行车记录仪提供完.整的解.决方案。 IP6515支持双口输出,单独使用任意一口支持5V@2.4A 输出,当双口同时使用时,总功率支持5V@4.8A 输出。[查看]
http://zm699.com/Products/jcskdcpxyd.html3星
英集芯单节锂IP2315快充协议同步降压转换充电IC
IP2315是一款集成 MOS 和输入快充协议的同步降压转换充电 IC。 IP2315输入电压范围 5V~12V;IP2315 集成Type-C PD、华为 FCP、三星 AFC、MTK PE+1.1/2.0的输入快充协议,可向适配器申请 9V 或 12V 电压来减小充电时间;IP2315 可通过 ISET 引脚设置输入端的充电电流,在输入9V/2A 时,电池端充电电流3.7V/4.8A;IP2315可以兼容小电流适配器,当适配器输出负载能力不足时,自适应降低充电电流,保证不拉坏适配器;[查看]
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支持DCP充电协议的低内阻限流开关--IP2687
IP2687是一个支持DCP充电协议的低内阻Rds(on)限流开关 IC。支持 Apple2.4A,BC1.2 和 Samsung2.0A 充电协议,限流开关功能保护电源和负载不会发生过流或短路损坏。支持过温关断保护,支持上电防倒灌保护,防止在上电的时候输出电压高于输入电压时,电流从输出倒灌到输入。当输出负载超过电流限值阈值时,IP2687会打嗝重启,直到输出负载降低到过流阈值以下。[查看]
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集成8种协议、用于USB 端口的快充协议IC Type-C DFP--IP2701
IP2701是一款集成8种、用于 USB 输出端口的快充协议IC,支持USB 端口充电协议。支持8种快充协议 ,包 括 Type-C DFP , HVDCP QC3.0/QC2.(0Quick Charge)Class A 和 Class B,FCP (Hisilicon? Fast Charge Protocol ), AFC ( Samsung? Adaptive Fast Charge ), SFCP (Spreadtrum? Fast Charge Protocol),Apple 2.4A,BC1.2 以及三星 2.0A。IP2701 集成 USB Type-C DFP 端口控制器,可以与 Type-C UFP、DRP 设备实现连接。[查看]
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2.4A集成10种协议,用于USB端口的快充协议IC--IP2703
IP2703 是一款集成 10 种、用于 USB 输出端口的快充协议 IC,支持双路 USB 端口充电协议。支持 10 种快充协议,包括 Type-C DFP,HVDCP QC3.0/QC2.(0Quick Charge)Class A 和 Class B, FCP ( Hisilicon? Fast Charge Protocol ), AFC( Samsung? Adaptive Fast Charge ), SFCP(Spreadtrum? Fast Charge Protocol),MTK PE+2.0/1.1(MediaTek Pump Express Plus 2.0/1.1),Apple 2.4A,BC1.2 以及三星 2.0A。 IP2703 集成 USB Type-C DFP 端口控制器,可以与 Type-C UFP、DRP 设备实现连接。[查看]
http://zm699.com/Products/24ajc10zxy.html3星
集成10种协议、用于USB端口的快.充协议IC--IP2707
IP2707是一款集成10种、用于USB 输出端口的快.充协议 IC,支持双路 USB 端口充电协议。支持 10 种快.充协议,包括 Type-C , HVDCP QC3.0/QC2.(0Quick Charge)Class A 和 Class B,FCP ( Hisilicon? Fast Charge Protocol ), AFC ( Samsung? Adaptive Fast Charge ), SFCP(Spreadtrum? Fast Charge Protocol),MTK PE+2.0/1.1(MediaTek Pump Express Plus 2.0/1.1),Apple 2.4A,BC1.2 以及三星 2.0A。[查看]
http://zm699.com/Products/jc10zxyyyu.html3星
集成12 种协议、用于USBC 端口的快充协议 IC--IP2188
IP2188 是一款集成 12 种、用于 USB 输出端口的快充协议 IC,支持 USB 端口充电协议。支持 11种快充协议,包括 USB TypeC PD2.0/PD3.0/PPS DFP, HVDCP QC3.0/QC2.0(Quick Charge) Class A,FCP(Hisilicon? Fast Charge Protocol),SCP(Super Fast Charge),AFC(Samsung? Adaptive Fast Charge), MTK PE+ 2.0/1.1 ( MediaTek Pump Express Plus 2.0/1.1),Apple 2.4A,BC1.2 以及三星 2.0A。 IP2188 支持自动检测设备类型和充电协议切换,自动响应快充协议请求。[查看]
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输出18W,集成快.充输出协议(DCP/QC2.0/QC3.0/FCP/AFC)的降压SOC--IP6525T
IP6525T 是一款集成同步开关的降压转换器、支持 4 种输出快充协议,为车载充电器、快充适配器、智能排插提供的解决方案。 IP6525T 内置功率MOS,输入电压范围是9.6V到 32V,输出电压范围是 3V 到 12V,能提供 18W 的输出功率,能够根据识别到的快充协议自动调整输出电压和电流,典型输出电压和电流有 5V@ 3.4A, 9V@2.0A,12V@1.5A。IP6525T 的降压转换效率98%。 IP6525T 的输出具有 CV/CC 特性,当输出电流小于设定值,输出 CV 模式,输出电压恒定;当输出电流大于设定值,输出 CC 模式,输出电压降低。[查看]
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18W功率控制集成9 种协议、用于USB 端口的快充协议 IC--IP2163
IP2163是一款集成9种、用于USB输出端口的快充协议IC,支持双路 USB端口充电协议。支持9种快充协议,包括 HVDCP QC3.0/QC2.(0Quick Charge) Class A 和 Class B,FCP(Hisilicon? Fast Charge Protocol),AFC(Samsung? Adaptive Fast Charge ), SFCP ( Spreadtrum? Fast Charge Protocol), MTK PE+ 2.0/1.1( MediaTek Pump Express Plus 2.0/1.1),Apple 2.4A,BC1.2 以及三星2.0A。 IP2163 支持自动检测设备类型和充电协议切换,自动响应快充协议请求。IP2163 集成FB 控制接口,可通过调节 FBSOURCE/SINK 的电流.[查看]
http://zm699.com/Products/18wglkzjc9.html3星
待机功耗多模式准谐振原边反馈交直流转换器--PN8395
PN8395集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM两种工作模式。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,频率抖动技术可实现较好的EMI特性;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
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外围元器件精简待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN8370P
PN8370P集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370P为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
http://zm699.com/Products/wwyqjjjdjg.html3星
支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L
PN8308L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308L内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8308L集成了辅助功能,包含输出欠压保'导通时间等功能。[查看]
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具有功耗睡眠模式的两通道马达驱动芯片--PN7705
PN7705是一款具有功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转、刹车和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能,并且可以将错误状态反馈给MCU,保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构,高侧导通电阻0.5ohm,低侧导通电阻0.3ohm。[查看]
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芯朋微非隔离5V0.15A电源控制芯片--AP8003
AP8003集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8003内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8003具有优异的EMI特性。[查看]
http://zm699.com/Products/xpwfgl5v01.html3星
集成USB TYPE-C PD3.0、QC3.0/2.0/MTK高.压快充协议的电源管理SOC--IP2716
IP2716是一款集成USB TYPE-C 输入输出协议、 USB Power Delivery(PD3.0)输入输出协议、QC3.0/2.0 输出快充协议(兼容 DCP 识别功能,兼容 BC1.2、苹果和三星手机)、MTK PE+1.1、FCP、SCP、AFC、等多功能的电源管理SOC,为适配器、移动电源、车充提供完.整的 TYPE-C 解.决方案。[查看]
http://zm699.com/Products/jcusbtypec.html3星
零待机模式超低相线电流原边反馈交直流电源管理芯片--PN6367
PN6367集成零待机模式的准谐振原边控制器及典型720V高雪崩能力智能功率MOSFET,适用于高性能、外围元器件精简的智能断路器电源。PN6367为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,并且PN6367提供可控零待机模式,此时相线电流平均值可小于0.10mA。在恒压模式,输出电压通过FB脚的电阻比例进行调节;在恒流模式,输出电流通过CS脚的电阻值进行调节。该芯片还提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS 开/短路保护等。[查看]
http://zm699.com/Products/ldjmscdxxd.html3星
200V耐压DC-DC隔离转换器--PN6380
PN6380集成准谐振原边控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的低直流输入电压隔离电源和电动自行车内置电源。PN6380为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(120VDC)小于150mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]
http://zm699.com/Products/200vnydcdc.html3星
非隔离200V耐压降压电源管理芯片--PN6055
PN6055集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。PN6055内置200V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN6055的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]
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