PN6775H集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN6780H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN6770H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足 6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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IP6806是一款无线充电发射端控制SoC芯片，兼容WPC Qi v1.2.4标准，支持A11或 A11a线圈，支持5W、苹果7.5W、三星10W充电。IP6806通过 analog ping检测到无线接收器，并建立与接收端之间的通信，则开始功率传输。IP6806解码从接收器发送的通信数据包，然后用 PID算法来改变振荡频率从而调整线圈上的输出功率。一旦接收器上的电池充满电时，IP6806终止电力传输。 IP6806片内集成桥驱动电路和功率MOS，电压&电流两路 ASK通讯解调模块；方案集成度高，可降低方案尺寸和 BOM成本。[查看]

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IP2326是一款支持双节串联锂电池/锂离子电池的升压充电管理IC。IP2326集成功率MOS，采用同步开关架构，使其在应用时需少的外围器件，并减.小整体方案的尺寸，降低BOM成本。IP2326的升压开关充电转换器工作频率500KHz；15W输入充电，5V输入，8V/1A输出转换效率 94%，8V/1.5A输出转换效率 92%。IP2326具有输入限压功能，可以智能调节充电电流，防止拉挂适配器。IP2326支持外接电阻来调整充电电流、充电电流 ..IP2326支持外接电阻来调整充电电流、充电电压、输入欠压阈值、输入过压阈值、充电超时阈值等参数；IP2326集成充电均衡电路，可在充电时检测每节电池的电压，保证 2节电池电压的均衡；IP2326集成NTC保护功能，配合NTC电阻.IP2326采用4*4mm QFN24封装。[查看]

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PN8505A基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。[查看]

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AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8395H集成待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术共同音频噪声，使得系统满足6级能效标准，频率抖动技术可实现较好的EMI特性；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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AP8507基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。[查看]

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IP2191是一款集成 VOOC闪充协议、Apple? 充电协议、SAMSUNG充电协议、BC1.2充电协议的多功能 SOC。通过集成的副边电压反馈调节，IP2191可实现精细的恒压、恒流控制，为适配器、车载充电器等单向输出应用提供完整的 VOOC闪充解决方案。[查看]

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PN8200是一款具有两个端子的X电容放电用芯片，其待机损耗低同时能够满足电源系统的安规标准。PN8200内置了两个高压VDMOS开关，可有效的保护芯片避免雷击或浪涌的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC电压接入时，会有低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内，当AC电压断电后，可通过放电电 阻对X电容放电。放电电阻和X电容可灵活选择以优化系统的EMI性能。[查看]

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IP2712T 是一款集成 USB TYPE-C 输出协议、USB Power Delivery(PD2.0/PD3.0)输出协议、QC3.0/2.0 输出快充协议（兼容 DCP 识别功能，兼容BC1.2、苹果和三星手机）、MTK PE+1.1、FCP、SCP 等多功能的电源管理 SOC，为适配器、车充等单向输出应用提供完整的 TYPE-C 解决方案。[查看]

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PN6775集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]

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The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.[查看]

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Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]

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The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.[查看]

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Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology.The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]

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Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]

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IP6809是一款无线充电发射端控制SoC芯片,兼容 WPC Qi v1.2.4新标准，支持3线圈无线充电应用，支持 A28 线圈、MP-A8 线圈，支持客户线圈定制方案，支持 5W、苹果 7.5W、三星 10W、15W 充电。IP6809 通过 analog ping 检测到无线接收器，并建立与接收端之间的通信，则开始功率传输。[查看]

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