AP8507基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。[查看]

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IP2191是一款集成 VOOC闪充协议、Apple? 充电协议、SAMSUNG充电协议、BC1.2充电协议的多功能 SOC。通过集成的副边电压反馈调节，IP2191可实现精细的恒压、恒流控制，为适配器、车载充电器等单向输出应用提供完整的 VOOC闪充解决方案。[查看]

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PN8200是一款具有两个端子的X电容放电用芯片，其待机损耗低同时能够满足电源系统的安规标准。PN8200内置了两个高压VDMOS开关，可有效的保护芯片避免雷击或浪涌的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC电压接入时，会有低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内，当AC电压断电后，可通过放电电 阻对X电容放电。放电电阻和X电容可灵活选择以优化系统的EMI性能。[查看]

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IP2712T 是一款集成 USB TYPE-C 输出协议、USB Power Delivery(PD2.0/PD3.0)输出协议、QC3.0/2.0 输出快充协议（兼容 DCP 识别功能，兼容BC1.2、苹果和三星手机）、MTK PE+1.1、FCP、SCP 等多功能的电源管理 SOC，为适配器、车充等单向输出应用提供完整的 TYPE-C 解决方案。[查看]

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PN6775集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]

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The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.[查看]

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Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]

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The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.[查看]

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Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology.The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]

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Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.[查看]

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IP6809是一款无线充电发射端控制SoC芯片,兼容 WPC Qi v1.2.4新标准，支持3线圈无线充电应用，支持 A28 线圈、MP-A8 线圈，支持客户线圈定制方案，支持 5W、苹果 7.5W、三星 10W、15W 充电。IP6809 通过 analog ping 检测到无线接收器，并建立与接收端之间的通信，则开始功率传输。[查看]

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MD70H集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT,用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源. MD70H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431.在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节.该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等,同时还集成AC过压保护功能.[查看]

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AP2104B是一个具备低噪声、恒定开关频率特性（400kHz）的电容式电压倍增器。输入2.7--5.5V，产生恒定的 5V 输出电压，输出电流能达到250mA。较少的外部器件（仅有一只自举电容和 VIN 以及 VOUT 上的2只旁路电容）使得 AP2104B适合应用于电池供电的小型设备。 本电路采用新的电荷泵架构，保证零负载情况下工作在恒定的开关频率，并同时减少输入和输出纹波。该电路具有热保护功能，能承受从 VOUT到GND的持续短路。内置的软启动电路能防止启动时产生过大的浪涌电流。较高的开关频率，可以使用小型的陶瓷电容。低电流待机电流，小于1uA。[查看]

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PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6147为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台，非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。[查看]

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PN6013集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6013为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN8680M集成待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。(注:PN8680M与ob2500 pin to pin.)[查看]

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PN6005集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。 PN6005内置200V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN6005的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8275内部集成了电流模式控制器和启动模块，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，PN8275还提供性能优异的智能化保护功能，包括输入欠/过压保护、X电容放电功能、输出过压保护、外部OTP保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。[查看]

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PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、导通时间等功能。[查看]

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