PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块，实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8024A芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率反激原边反馈开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，过载保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。[查看]

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PN8571集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件的充电器、适配器和内置电源。PN8571为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN8347Q内置高精度的准谐振恒流控制器和功率MOSFET，用于高可靠、外围元器件较简的中小功率LED照明。该芯片搭建反激系统可省略光耦、TL431；采用的恒流控制专利技术可节省变压器辅助绕组，内置启动电路省去了外部的启动电阻。该芯片提供了较的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温调节、Rcs开路保护和LED开/短路保护等。准谐振的控制技术、内置启动电路和芯片功耗有助于获取较高的工作效率。在恒流模式下，输出电流可通过CS脚的Rcs电阻进行调节。[查看]

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PN8370F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN7707是一款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻0.3ohm，低侧导通电阻0.3ohm。[查看]

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PN7719是一款具有功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻0.6ohm，低侧导通电阻0.4ohm。[查看]

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IP2325是一款支持双节串联锂电池/锂离子电池的升压充电管理 IC。 IP2325集成功率 MOS，采用同步开关架构，使其在应用时需要较少的外围器件，减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。 IP2325 的升压开关充电转换器工作频率500KHz； 5V输入，8V/1.2A 输出转换效率 93%；IP2325具有输入限压功能，可以智能调节充电电流，自适应适配器负载能力。 IP2325支持外接电阻来调整充电电压； IP2325集成NTC保护功能，配合NTC 电阻IP2325采用ESOP8封装。[查看]

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PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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AP8506基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。[查看]

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BF7612BMXX采用8051内核，1T指令周期，相比于标.准的8051(12T)指令周期，具有快的运行速度，同时兼.容标准8051指令。 BF7612BMXX包含外设有看门狗、按键检测、LED串行点阵驱动、IIC、UART、低电压检测、掉电复位、3路16bit PWM、Timer0、Timer1、Timer2、12bit 10位精度逐次逼近ADC、低功耗模式。 BF7612BMXX集成的电容检测通道，它可以用来检测近距离感应或者触摸。其内置MCU，可灵活配置；通过配置可实现按键、滚轮、滑条等多种应用。按键都能独立的运行，并且每个按键都能通过对相应的特殊功能寄存器来调节灵敏度。[查看]

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AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN6775H集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN6780H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN6770H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足 6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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IP6806是一款无线充电发射端控制SoC芯片，兼容WPC Qi v1.2.4标准，支持A11或 A11a线圈，支持5W、苹果7.5W、三星10W充电。IP6806通过 analog ping检测到无线接收器，并建立与接收端之间的通信，则开始功率传输。IP6806解码从接收器发送的通信数据包，然后用 PID算法来改变振荡频率从而调整线圈上的输出功率。一旦接收器上的电池充满电时，IP6806终止电力传输。 IP6806片内集成桥驱动电路和功率MOS，电压&电流两路 ASK通讯解调模块；方案集成度高，可降低方案尺寸和 BOM成本。[查看]

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IP2326是一款支持双节串联锂电池/锂离子电池的升压充电管理IC。IP2326集成功率MOS，采用同步开关架构，使其在应用时需少的外围器件，并减.小整体方案的尺寸，降低BOM成本。IP2326的升压开关充电转换器工作频率500KHz；15W输入充电，5V输入，8V/1A输出转换效率 94%，8V/1.5A输出转换效率 92%。IP2326具有输入限压功能，可以智能调节充电电流，防止拉挂适配器。IP2326支持外接电阻来调整充电电流、充电电流 ..IP2326支持外接电阻来调整充电电流、充电电压、输入欠压阈值、输入过压阈值、充电超时阈值等参数；IP2326集成充电均衡电路，可在充电时检测每节电池的电压，保证 2节电池电压的均衡；IP2326集成NTC保护功能，配合NTC电阻.IP2326采用4*4mm QFN24封装。[查看]

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PN8505A基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。[查看]

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AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8395H集成待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术共同音频噪声，使得系统满足6级能效标准，频率抖动技术可实现较好的EMI特性；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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