PN8137内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。该芯片还内置智能启动模块。非常适用于DVB领域。[查看]

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PN8136内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。该芯片还内置智能启动模块。PN8136为需要低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个的实现平台，非常适合五级能效Lever5、 Eur2.0、能源之星的应用。[查看]

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PN8126F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。[查看]

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PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。[查看]

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AP8022芯片内部集成了脉宽调制控制器和新一代的高可靠性功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护。[查看]

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PN8313包括高精度的准谐振恒流控制器及功率MOSFET，用于可靠、效率高、单电感、精简外围元器件的非隔离中小功率LED照明。PN8313采用BUCK电路构架，工作在临界导通模式，采用了DMOS自供电的专利技术可节省启动电阻。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温保护、CS电阻开短路保护和LED开短路保护等，内置启动电路和芯片功耗有助于较高的工作效率。在恒流模式下，电流和输出功率可通过CS脚的RS电阻进行调节。[查看]

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SVF12N60T/F/SN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF10N60T/F/FG/S/KN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF8N60T/FN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM 马达驱动。[查看]

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SVF7N60T/F/S/K/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF2N60M/MJ/N/F/T/DN 沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。[查看]

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SVF1N60AM/MJ/B/D/F/HN 沟道增强型高压功率MO场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压 H桥PWM马达驱动。[查看]

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PN8327包括高精度的准谐振恒流控制器及功率MOSFET，用于高可靠、效率高、单电感、精简外围元器件的非隔离中小功率LED照明。该芯片工作在原边调整模式，可省略光耦、隔离双绕组、TL431，采用了快速DMOS自供电的专利技术可节省变压器辅助绕组和启动电阻。[查看]

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PN8316包括高精度的准谐振恒流控制器及功率MOSFET，用于高可靠、效率高、单电感、精简外围元器件的非隔离中小功率LED照明。PN8136采用BUCK电路构架，工作在临界导通模式，采用了DMOS自供电的技术可节省启动电阻。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温保护、CS电阻开短路保护和LED开短路保护等，内置启动电路和芯片功耗有助于较高的工作效率。在恒流模式下，电流和输出功率可通过CS脚的RS电阻进行调节。[查看]

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PN8315包括高精度的准谐振恒流控制器及功率MOSFET，用于高可靠、效率高、单电感、精简外围元器件的非隔离中小功率LED照明。PN8135采用BUCK电路构架，工作在临界导通模式，采用了DMOS自供电的技术可节省启动电阻。[查看]

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PN8315包括高精度的准谐振恒流控制器及功率MOSFET，用于高可靠、效率高、单电感、精简外围元器件的非隔离中小功率LED照明。PN8135采用BUCK电路构架，工作在临界导通模式，采用了DMOS自供电的技术可节省启动电阻。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温保护、CS电阻开短路保护和LED开短路保护等，内置启动电路和芯片功耗有助于较高的工作效率。在恒流模式下，电流和输出功率可通过CS脚的RS电阻进行调节。[查看]

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PN8326包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高可靠、隔离双绕组、精简外围元器件的中小功率LED照明，该芯片工作在原边调整模式，可省略光耦、TL431，采用了DMOS自供电的技术可节省变压器辅助绕组和启动电阻。[查看]

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PN8317包括高精度的准谐振恒流控制器及功率MOSFET，用于高可靠、效率高、单电感、精简外围元器件的非隔离中小功率LED照明。PN8137采用BUCK电路构架，工作在临界导通模式，采用了DMOS自供电的技术可节省启动电阻。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温保护、CS电阻开短路保护和LED开短路保护等，内置启动电路和芯片功耗有助于较高的工作效率。在恒流模式下，电流和输出功率可通过CS脚的RS电阻进行调节。[查看]

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