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- SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]
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- SVF12N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。[查看]
- http://zm699.com/Products/12a650vngd.html
- SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]
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- SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]
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- SVF5N60T/F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。[查看]
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- PN8124F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了的智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,过载保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。[查看]
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